關于老(lao)化測(ce)試(shi)(shi)噴淋和冷凝(ning)用(yong)水要(yao)求(qiu)(qiu)，為(wei)保證在(zai)滿足ASTM G151 ,ASTM G154，ASTM G155以及ISO 4892等標準要(yao)求(qiu)(qiu)的(de)前(qian)提下，為(wei)避免老(lao)化試(shi)(shi)驗箱中的(de)樣(yang)品表面(mian)產生水垢。我們綜合水提純領域的(de)專家意(yi)見。
首先，我們統一了所有老化試驗箱的用水(shui)要(yao)求(qiu)，除了以下(xia)三個型號(QUV/Spray，QUV 無(wu)噴淋型和Q-FOG CRH)，具體(ti)要(yao)求(qiu)見下(xia)表
| 試驗箱型號 | 電阻率(Ω-cm) | 導電性(μS/cm) | 總溶解固體 (ppm) | 膠態二氧化硅(ppm) | PH |
| QUV/basic, se 和 cw紫外老化試驗箱 | 常規水即可 | ||||
| Q-SUN spray 紫外老化試驗箱和 Q-FOG CRH 鹽霧試驗箱 | > 5M | < 0.2 | < 0.1 | < 0.1 | 6-8 |
| 其他型號設備 | > 200k | < 5 | < 2.5 | not specified | 6-8 |
其次，我(wo)們了解到，在帶有水噴淋(lin)功能的氙燈(deng)試(shi)驗箱中，為防止試(shi)樣上(shang)出現水斑，除了采用去離子(zi)水外，還(huan)需要(yao)一個(ge)反滲透系統。
您會(hui)發現有的要求變得更加(jia)嚴格(ge)了，而另(ling)外一些則相對放松了要求。
Q-SUN Xe-3-H過去(qu)要求(qiu)水的電阻率大于500KΩ-cm，研究表(biao)明該條件高于必要。
Q-FOG SSP鹽霧(wu)(wu)試(shi)驗箱、Q-FOG CCT鹽霧(wu)(wu)試(shi)驗箱以(yi)及Q-SUN Xe-2過去要求(qiu)(qiu)水的(de)(de)(de)電阻大于50KΩ，而研究表明，這在防止礦物質結垢(gou)堆(dui)積方面(mian)是不夠的(de)(de)(de)。此外(wai)，多數鹽霧(wu)(wu)測試(shi)標準要求(qiu)(qiu)純水電阻>200KΩ-cm。而且達到200KΩ的(de)(de)(de)水純度并不會更難(nan)或(huo)增加額(e)外(wai)的(de)(de)(de)開支，使用反滲透(tou)或(huo)去離子裝置可很簡便的(de)(de)(de)達到純度要求(qiu)(qiu)。
現在，我們建(jian)議(yi)Q-SUN氙(xian)燈試驗(yan)箱進(jin)行噴淋時采用RO/DI(反滲透/去離子)水(shui)
注：Q-lab 為QUV/spray紫外老化試驗箱和帶水噴淋的Q-SUN氙燈試驗箱配備了水再凈化系統，但該系統不能替代RO/DI系統使用。
首先，隨著時(shi)間的(de)(de)推移，原有凈水(shui)(shui)系統在(zai)去(qu)除水(shui)(shui)中(zhong)(zhong)的(de)(de)膠狀二(er)氧化(hua)硅效率變得越來越低(di)。這可能(neng)導致快速形成水(shui)(shui)垢，正如我們常在(zai)實驗室中(zhong)(zhong)看(kan)到(dao)的(de)(de)那樣(yang)。相(xiang)(xiang)比之下，反滲透(tou)系統能(neng)夠在(zai)相(xiang)(xiang)對較長的(de)(de)時(shi)間內保(bao)持穩(wen)定(ding)的(de)(de)運行，而(er)不會把(ba)二(er)氧化(hua)硅回放到(dao)水(shui)(shui)中(zhong)(zhong)。
其(qi)次，原有(you)(you)處(chu)理系(xi)統只有(you)(you)在處(chu)理礦(kuang)物質(zhi)(zhi)含量較低(di)的(de)(de)水(shui)(shui)(shui)時才具有(you)(you)較高的(de)(de)經濟性，大部(bu)分擁有(you)(you)地表水(shui)(shui)(shui)源的(de)(de)城(cheng)市都(dou)屬于這(zhe)種情況，比如(ru)克利(li)夫蘭。 然而，如(ru)果水(shui)(shui)(shui)源來自于地下水(shui)(shui)(shui)，比如(ru)亞利(li)桑那，鳳凰城(cheng)的(de)(de)情況，此類地下水(shui)(shui)(shui)礦(kuang)物質(zhi)(zhi)含量比較高，使用反滲(shen)透處(chu)理方式(shi)則擁有(you)(you)更高的(de)(de)經濟性，主要(yao)(yao)注意的(de)(de)是單純采用反滲(shen)透并不(bu)能滿足(zu)大于500KΩ-cm的(de)(de)純度，還需要(yao)(yao)對(dui)水(shui)(shui)(shui)做(zuo)去離子處(chu)理，以滿足(zu)純度要(yao)(yao)求。
值得注意的(de)是，并非所有(you)出(chu)現在(zai)試(shi)樣表面(mian)的(de)二氧(yang)化(hua)硅斑點都是由于水(shui)(shui)中(zhong)的(de)雜質構成的(de)。也有(you)可能(neng)是由于材料降解而產生的(de)。除在(zai)Q-SUN氙燈試(shi)驗(yan)箱之外，這(zhe)些(xie)斑點也有(you)可能(neng)在(zai)自然老化(hua)過程中(zhong)產生。如果您對(dui)于老化(hua)測試(shi)用(yong)水(shui)(shui)純度還有(you)其他更多需要(yao)了解信息，歡迎聯系(xi)Q-lab中(zhong)國(guo)代理——翁開爾公(gong)司。
